產(chǎn)品名稱：二手 Hitachi SU8220 冷場(chǎng)發(fā)射電鏡
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2026-07-01
產(chǎn)品特點(diǎn)：二手 Hitachi SU8220 冷場(chǎng)發(fā)射電鏡 系列中端冷場(chǎng)發(fā)射電鏡，同系列還有 SU8230、SU8240，后續(xù)迭代型號(hào)為 Regulus8220；核心革新是改良型冷場(chǎng)電子槍，解決傳統(tǒng)冷場(chǎng)束流弱、不穩(wěn)定、頻繁閃光的痛點(diǎn)，兼顧超高分辨成像 + 長(zhǎng)時(shí)間 EDS 元素分析，是納米、半導(dǎo)體、軟材料領(lǐng)域主流機(jī)型.
產(chǎn)品詳細(xì)資料：
一、核心硬件：新一代改良冷場(chǎng)發(fā)射電子槍（CFE）二手 Hitachi SU8220 冷場(chǎng)發(fā)射電鏡
冷場(chǎng) vs 肖特基（熱場(chǎng)）核心優(yōu)勢(shì)
| 參數(shù) | SU8220 冷場(chǎng) (CFE) | 常規(guī)肖特基熱場(chǎng) |
|---|---|---|
| 能量散度 | 0.2~0.3 eV | 0.6~0.8 eV |
| 電子源亮度 | ~10? A/cm2·sr | ~10? A/cm2·sr |
| 源尺寸 | 15~30 nm | 5 nm |
| 低電壓成像 | 清晰、束損傷極小 | 低電壓分辨率偏弱 |
日立改良技術(shù)
Mild Flashing 溫和閃光：減少針尖損耗、降低氣體吸附，閃光后快速進(jìn)入穩(wěn)定束流，無(wú)需長(zhǎng)時(shí)間等待；
超高真空電子槍腔體：抑制針尖碳污染，束流穩(wěn)定性大幅提升，可連續(xù)數(shù)小時(shí)做 EDS 面掃 / 線掃；
相比老式 SU8000，探針電流提升數(shù)倍，彌補(bǔ)傳統(tǒng)冷場(chǎng) “只能看、不能分析" 短板Hitachi High-Tech。
二、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)（標(biāo)準(zhǔn)）
1. 分辨率（二次電子 SE）
0.8 nm @15 kV（工作距離≥3 mm）
1.1 nm @1 kV（減速模式，低電壓觀測(cè)軟材料）
2. 電壓范圍
標(biāo)準(zhǔn)模式：0.5 ~ 30 kV
減速著陸模式：0.01 ~ 2 kV（ 10V），適合高分子、生物、二維材料、鋰電池極片，大幅降低電子束輻照損傷
3. 放大倍率
4. 探測(cè)器系統(tǒng)（3 通道多信號(hào)同步采集）
SE (U) 高位二次電子：表面形貌、高分辨細(xì)節(jié)
SE (L) 低位二次電子：凹凸立體感、大景深
BSE 背散射電子：成分襯度，區(qū)分輕重元素
選配 Top 過(guò)濾器：增強(qiáng)材料相區(qū)分對(duì)比度
5. 樣品臺(tái)
6. 標(biāo)配分析拓展（主流配置）
Bruker FlatQuad 平插式四通道 SDD-EDS（60mm2 探測(cè)器）：輕元素 B~U 同步檢測(cè)，低電壓下微區(qū)元素 mapping；
可選附件：STEM 透射掃描、EBIC 半導(dǎo)體缺陷、陰極發(fā)光 CL、電子束曝光、冷臺(tái) / 熱臺(tái)。
三、整機(jī)核心優(yōu)勢(shì)
低電壓成像
極小能量散度 + 冷場(chǎng)高亮度，1kV 及以下電壓依然保持納米級(jí)分辨率，有機(jī)、生物、聚合物、碳材料不會(huì)燒蝕、變形。
成像 + 分析一體化
傳統(tǒng)冷場(chǎng)束流弱，無(wú)法長(zhǎng)時(shí)間 EDS；SU8220 改良槍實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定大束流，高分辨形貌 + 大面積元素面掃同步完成。
低污染、易維護(hù)
槍體 + 樣品室雙超高真空設(shè)計(jì)，針尖、樣品污染速率遠(yuǎn)低于老款冷場(chǎng)，閃光頻次降低，運(yùn)維成本更低。
SuperExB 信號(hào)分離物鏡
電子束與信號(hào)光路分離，SE/BSE 信號(hào)互不干擾，同時(shí)輸出形貌 + 成分雙襯度圖像，多相復(fù)合材料觀測(cè)更直觀。
自動(dòng)化工作流
EM Flow Creator 批量自動(dòng)采圖、自動(dòng) EDS 分析，適合高通量材料篩選、半導(dǎo)體失效分析。
四、二手 Hitachi SU8220 冷場(chǎng)發(fā)射電鏡典型應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體微電子
晶圓表面缺陷、光刻膠、薄膜臺(tái)階、芯片截面、納米器件形貌 + 元素分布；低電壓觀測(cè)不損傷光刻膠、低 k 介質(zhì)層。
納米材料 / 催化
納米線、納米管、MOF、催化劑顆粒、二維材料（石墨烯、MXene）微觀形貌與元素 mapping。
能源材料
鋰電池正負(fù)極、隔膜、燃料電池電極、多孔碳材料，低電壓避免有機(jī)粘結(jié)劑碳化。
高分子 / 生物軟材料
聚合物薄膜、纖維、生物臨界點(diǎn)干燥樣品，10V~1kV 著陸電壓，無(wú)束損傷。
金屬 / 無(wú)機(jī)陶瓷
金相剖面、陶瓷孔隙、鍍層界面、粉末顆粒粒度與成分分析。
五、使用注意事項(xiàng)
樣品要求：干燥、無(wú)揮發(fā)、無(wú)磁性、無(wú)腐蝕性；含水生物樣品必須臨界點(diǎn)干燥噴金 / 噴碳；
磁性樣品需消磁或采用無(wú)磁樣品臺(tái)，避免電子束偏移、圖像畸變；
冷場(chǎng)電子槍仍需定期 Mild Flashing，相比肖特基維護(hù)頻次更高，但遠(yuǎn)優(yōu)于老式 SU8000；
粉末樣品需充分固定，防止真空下飛粉污染槍體與探測(cè)器。
六、同系列機(jī)型區(qū)分
SU8220：基礎(chǔ)高分辨型，常規(guī)科研、高校測(cè)試中心主流款；
SU8230：加長(zhǎng)物鏡、更大束流，側(cè)重大批量 EDS 分析；
SU8240：頂配，分辨率，適配半導(dǎo)體工廠嚴(yán)苛質(zhì)檢場(chǎng)景；
換代型號(hào)：Regulus8220，在 SU8220 基礎(chǔ)上優(yōu)化低電壓分辨率至 0.7nm@1kV。
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